[뉴스토마토 이명신 기자] 올해 상반기 삼성전자와 SK하이닉스 등 반도체 업체들이 연구개발(R&D)와 설비투자(CAPEX)에 역대 최대치 투자를 진행하고 있습니다. 이는 인공지능(AI) 발전으로 고대역폭메모리(HBM) 등 고성능 메모리의 수요가 늘어나면서 경쟁 업체들과 기술 격차를 벌리기 위한 의도로 분석됩니다.
경기도 이천시에 위치한 SK하이닉스 이천캠퍼스 M16 공장. (사진=연합뉴스)
28일 업계에 따르면 삼성전자의 올해 상반기 R&D 투자액은 전년 동기 대비 13.8% 늘어난 18조641억원으로 집계됐습니다. 상반기 기준 역대 최대치로 매출액 대비 R&D 투자액 비중도 11.8%를 기록해 11%를 넘어섰습니다. 지난해 삼성전자의 매출액 대비 R&D 투자액 비중은 10.9%였습니다.
올해 상반기 R&D 투자를 늘린 만큼 R&D 성과도 나타나고 있습니다. 반도체 사업을 담당하는 DS(디바이스솔루션)부문에서는 업계 최초로 그래픽용 D램인 24Gb GDDR7 D램과 10나노급 6세대 D램 양산에 성공했습니다. DX(디바이스경험)부문은 세계 최초로 AI 휴대폰인 갤럭시 S25 시리즈를 출시하기도 했습니다.
삼성전자의 올해 상반기 CAPEX는 23조964억원으로 집계됐습니다. 역대 최대 규모는 아니지만, DS부문의 경우 상반기 20조7261억원을 투자해 전년 동기 19조5706억원 대비 5.9% 상승했습니다. 이는 사업별로 선별 투자 진행 중이기 때문입니다.
특히 DS 부문에서 CAPEX 투자와 함께 R&D 비용 늘리는 것은 차세대 메모리 시장 대응하기 위한 전략으로 풀이됩니다. 삼성전자는 2030년 준공을 목표로 텍사스주 테일러에 370억달러를 투입해 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 건설 중이며, 경기도 평택캠퍼스에서도 차세대 D램 설비투자를 진행 중입니다.
SK하이닉스의 경우 R&D 투자액이 3조456억원으로 지난해 같은 기간보다 7381억원 올랐습니다. 특히 CAPEX가 11조2490억원으로 집계됐는데, 이는 전년 동기 5조9670억원 대비 2배 가까이 오른 수치입니다. 이는 HBM 생산능력 확대 및 차세대 HBM 생산을 위한 투자가 증가했을 것으로 추측됩니다. 현재 SK하이닉스는 충북 청주에서 M15X 신규 팹(공장)을 짓고 있으며, 38억7000만달러를 투자해 미국 인디애나주에 첨단 패키징 공장을 건설할 계획입니다.
이처럼 두 회사가 R&D 투자를 늘리는 이유는 AI 반도체 공급망을 확보하기 위해선 차별화된 성능이 절실하기 때문입니다. 기술 격차로 고부가가치 제품 포트폴리오를 늘리고 안정적인 공급 체계를 구축한다는 계획입니다.
업계 관계자는 “차별화된 기술로 경쟁력을 확보하기 위해선 R&D 투자 확대는 필수일 수밖에 없다”면서 “생산능력 확보와 더불어 연구개발을 통해 차세대 HBM 등 고부가가치 제품 개발에 속도를 높일 것”이라고 했습니다.
이명신 기자 sin@etomato.com
이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.
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