중 CXMT, 5세대 D램 양산 본격화…삼성·SK 추격 속도

G5 플랫폼 공개…공정 미세화·생산성 ↑범용 넘어 고성능·저전력 D램 생산 확대

[뉴스토마토 박창욱 기자] 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 5세대(G5) D램 공정 양산에 돌입했습니다. 범용 D램을 중심으로 성장해 온 CXMT가 공정 미세화와 생산성을 끌어올리는 한편, 고성능 모바일 D램과 낸드플래시까지 영역을 넓히면서 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)를 향한 중국 메모리 업체들의 추격이 거세지고 있습니다.

 

CXMT 메모리 반도체 이미지. (사진=뉴시스)

 

21일 업계에 따르면 CXMT는 전날 중국 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 G5 D램 기술 플랫폼의 양산을 공식 발표했습니다. CXMT는 반도체 회로를 여러 차례 나눠 새겨 미세한 회로를 구현하는 사중 패터닝 기술을 적용해 메모리 셀의 핵심 간격을 11.95나노미터(㎚)까지 줄였습니다. 이에 따라 이전 세대보다 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수도 50% 이상 늘렸습니다.

 

공정 미세화는 D램의 생산성과 원가 경쟁력을 좌우하는 핵심 기술입니다. 메모리 셀을 더 촘촘하게 배치하면 같은 용량의 D램을 더 작은 크기로 만들 수 있고, 그만큼 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수도 늘어나기 때문입니다. CXMT는 G5 공정을 통해 웨이퍼당 칩 생산량을 이전 세대보다 50% 이상 늘렸다고 설명했습니다. 같은 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있게 되면 칩 하나당 제조원가를 낮추는 데도 유리합니다. 다만 CXMT가 공개한 수치는 불량품을 포함한 전체 칩을 기준으로 한 것으로, 실제 판매 가능한 칩의 비율인 수율은 공개되지 않았습니다.

 

제품군도 빠르게 넓히고 있습니다. CXMT는 이번 G5 공정을 적용한 24기가비트(Gb) 저전력 D램(LPDDR)5X 제품 2종을 함께 공개했습니다. 앞서 이달 초에는 차세대 LPDDR6 양산에 돌입해 샤오미의 신형 플래그십 폴더블폰 ‘샤오미 18 폴드’에 공급한다고 밝힌 바 있습니다. 저가·범용 제품을 넘어 스마트폰 등에 사용되는 고성능·저전력 D램으로 경쟁 무대를 넓혀가는 모습입니다.

 

CXMT는 D램에 이어 낸드플래시로도 사업 영역을 넓히고 있습니다. 외신에 따르면 CXMT는 베이징 신공장에 낸드 연구개발(R&D) 생산라인 구축을 추진하고 있으며, 잠재 고객사들과 향후 공급 방안도 논의한 것으로 전해졌습니다.

 

업계에서는 미국의 첨단 반도체 장비 규제에도 중국 업체들이 공정 미세화와 제품 고도화를 이어가고 있다는 점을 예의 주시하고 있습니다. 국내 업체와의 기술 격차는 여전히 존재하지만, CXMT가 중국 내수시장을 기반으로 생산 규모를 키우고 D램 기술력을 끌어올리는 동시에 낸드까지 사업 영역을 확대할 경우 삼성전자와 SK하이닉스와의 경쟁 범위도 한층 넓어질 수 있다는 분석입니다.

 

한 업계 관계자는 “CXMT의 G5는 이제 양산에 들어간 단계이고 수율이나 생산능력 등 공개된 정보가 많지 않아 국내 업체와 일대일로 비교하기는 어렵다”며 “현재 기술 수준은 국내 업체와 3~4년 정도 격차가 있는 것으로 보고 있다”고 말했습니다. 이어 “다만 CXMT가 빠르게 기술력을 끌어올리고 있다는 점은 부정하기 어렵다”며 “중국의 추격 속도가 빠른 만큼 국내 업체들도 첨단 공정 기술을 계속 고도화해 격차를 유지할 것”이라고 했습니다.

 

박창욱 기자 [e-mail]

이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.