한미반도체, 차세대 HBM 전용 ‘와이드 TC 본더’ 내년 말 출시

‘플럭스리스 본딩’ 옵션 추가 가능

[뉴스토마토 이명신 기자] 한미반도체는 차세대 HBM 생산 전용 장비인 ‘와이드 TC 본더’를 2026년 말에 출시할 계획이라고 4일 밝혔습니다. 한미반도체는 와이드 TC 본더를 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산을 위해 고객사에 공급할 예정입니다. 

 

한미반도체가 2026년 말 출시하는 '와이드 TC 본더' 제품. (사진=한미반도체).

 

TC본더는 각 D램 다이에 정밀한 열과 압력을 가해 접합하는 공정에 사용되는 장비입니다. HBM이 D램을 여러 개 쌓아 올리는 방식으로 만드는 만큼, TC 본더는 HBM 제조에 필요한 핵심 장비입니다. 

 

최근 메모리 업계는 차세대 HBM에 D램 다이 사이즈를 확대한 ‘와이드 HBM’ 칩 개발을 추진하고 있습니다. HBM 세대가 고도화될수록 더 많은 메모리 용량과 빠른 데이터 처리 속도가 요구되는데, 업계는 HBM을 20단 이상 고적층하는 방식 대신 다이 면적 자체를 확대하는 방향으로 개발 중입니다. 

 

HBM의 다이 면적이 넓어지면 실리콘관통전극(TSV) 수와 입출력 인터페이스(I/O) 수를 안정적으로 늘릴 수 있습니다. 또 D램 다이와 인터포저를 연결하는 ‘마이크로 범프’ 수도 증가합니다. 이를 통해 메모리 용량과 대역 폭을 확보하면서도 고적층 방식 대비 열 관리가 용이하고 전력 효율도 개선할 수 있습니다. 

 

아울러 와이드 TC 본더는 ‘플럭스리스 본딩’ 기능을 옵션으로 추가할 수 있습니다. 플럭스리스 본딩은 플럭스를 쓰지 않고 칩 표면의 산화막을 감소시키는 차세대 접합 기술입니다. 기존 방식 대비 잔류물 세정 공정이 불필요해 공정이 단순화되고 접합 강도를 높이면서도 HBM 두께를 줄일 수 있다는 장점이 있습니다. 

 

업계에서는 와이드 TC 본더 도입에 따라 차세대 HBM의 고적층 생산을 위해 검토됐던 하이브리드 본더 도입 시기가 한층 늦춰질 것으로 보고 있습니다. 업계 관계자는 “하이브리드 본더가 좋은 기술이지만, 워낙 고가의 제품일뿐더러 메모리 업계가 D램 다이 면적을 넓히려는 시도를 하고 있어 와이드 TC 본더 수요가 높아지고 있다”고 설명했습니다. 

 

곽동신 한미반도체 회장은 “HBM 기술 변화에 발맞춰 신기술을 적용한 와이드 TC 본더 장비를 선도적으로 공급할 계획”이라며 “고객사의 차세대 HBM 생산 경쟁력 강화에 기여할 것“이라고 했습니다. 

 

이명신 기자 [e-mail]

이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.