[뉴스토마토 안정훈 기자] 삼성전자가 2일(현지시각) 세계 최초로 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 첫 실물 모형(목업)을 공개했습니다. 7세대 HBM4E 샘플 출하에 이어 차기 제품 목업까지 선제적으로 선보인 것으로, 향후 인공지능(AI) 메모리 시장에서 경쟁사와의 기술 격차를 벌리겠다는 의지로 풀이됩니다.
2일(현지시각) 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO)가 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’ 삼성전자 부스에서 HBM5에 대해 설명하고 있다. (사진=삼성전자)
이날 삼성전자는 대만 타이베이 난강전시센터에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에 부스를 마련하고 HBM5 목업을 업계 최초로 공개했습니다. 송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO)는 “차세대 HBM 제품에서도 기술로 1등을 할 수 있도록 노력할 것”이라며 포부를 밝혔습니다.
이번 제품에는 차세대 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)가 적용됐습니다. HPB는 AI 메모리 성능을 높이는 과정에서 커지는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, PHY(Physical Layer·HBM과 AI 칩을 연결하는 인터페이스) 영역에서 발생하는 열을 효율적으로 분산해 외부로 방출하도록 설계된 것이 특징입니다. 해당 기술은 앞서 공개된 HBM4E을 기반으로 검증 단계에 들어간 상황입니다.
세부적으로 HBM5 코어 다이에는 1c(6나노 10세대) D램이 적용됩니다. HBM4에서부터 검증된 공정을 차세대 제품에도 도입한다는 구상입니다. 또 베이스 다이에는 2나노 선단 공정을 적용할 방침입니다. HBM4E까지는 자사 파운드리(반도체 위탁생산)의 4나노 공정을 기반으로 베이스 다이를 만들었지만, 이번 제품부터 신공정을 선제적으로 도입해 제품 경쟁력을 높이겠다는 구상입니다.
삼성전자는 HBM4E 웨이퍼 칩셋도 함께 공개했습니다. HBM4E는 지난달 29일 업계 최초로 샘플을 고객사에 납품한 제품으로, 최선단 1c D램 코어 다이와 4나노 공정 기반의 베이스 다이를 결합한 게 특징입니다. 핀당 동작 속도는 전작 대비 20% 향상된 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공해 대규모언어모델(LLM)과 AI 시스템의 연산 성능을 높였습니다.
2일(현지시각) 삼성전자가 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서 부스를 차리고 HBM5 실물 모형을 전시하고 있다. (사진=연합뉴스)
이는 삼성전자가 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 두루 아우르며 ‘원스톱 턴키 솔루션’을 표방하는 종합반도체회사(IDM) 체제이기 때문에 가능하다는 설명입니다. 송 CTO는 “AI 기술은 종합예술과 같다”며 “종합 반도체 기업인 삼성전자가 전 영역에서 고객을 지원할 수 있다는 점을 보여주고자 한 것”이라고 했습니다.
주목되는 점은 삼성전자의 제품 공개 속도입니다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 마쳤고, 3월 미국에서 열린 GTC 2026에서는 HBM4E 샘플을 공개했습니다. 이어 지난달 29일 처음으로 고객사에 HBM4E 샘플을 공급하고, 약 5일 만에 HBM5 목업을 추가 공개한 것입니다.
이러한 공격적 행보는 SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사와 HBM 시장을 3분하는 가운데 시장 주도권을 선점하기 위한 전략으로 분석됩니다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 지난해 4분기 기준 전세계 HBM 시장에서 삼성전자의 점유율은 22%로, SK하이닉스(57%)에 이은 2위를 차지한 바 있습니다.
다만 업계에서는 HBM5의 구체적인 사양이 공개되기까지는 시간이 더 필요할 것으로 보고 있습니다. 반도체업계 관계자는 “HBM4E도 이제 막 샘플이 나간 단계”라며 “HBM5도 이제 목업이 나온 것으로, 대한 구체적인 제품 사양이나 계획은 아직 없는 것으로 안다”고 했습니다.
안정훈 기자 ajh76063111@etomato.com
이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.
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